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深圳市驪微電子科技有限公司


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聯(lián)系人:杜S

  • 600v 60a igbt 絕緣柵雙極型晶體管SGT60N60FD1P7參數(shù)

    詳細摘要: 600v60aigbt絕緣柵雙極型晶體管,是指該IGBT可以在不損壞或失效的情況下處理電壓為600V和電流為60A的電路,SGT60N60FD1P7600v60...

    產(chǎn)品型號:SGT60N60FD1P7所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • 600v 15a igbt單管SGT15T60SD1F可替換IKA15N60T

    詳細摘要: 600v15aigbt單管SGT15T60SD1F可兼容替換IKA15N60T,采用士蘭微電子第三代場截止(FieldStop)工藝制作,具有較低的導通損耗和開...

    產(chǎn)品型號:SGT15T60SD1F所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • SGT20T60SD1F IGBT管600V 20A TO220F的參數(shù)

    詳細摘要: SGT20T60SD1F是一款帶有反并聯(lián)二極管的IGBT,其額定電壓為600V,額定電流為20A,常見于高壓、高功率的電力控制系統(tǒng)中,比如驅動工業(yè)電機、電子電源...

    產(chǎn)品型號:SGT20T60SD1F所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • 士蘭微600v igbt單管SGT20T60SD1P7替代STGF19NC60KD

    詳細摘要: 士蘭微600VIGBT單管是一種高壓、高電流電力控制器件,它是基于MOSFET和雙極晶體管工作原理設計而成的,具有雙極型和單極型晶體管的優(yōu)點,可用于驅動電機、變...

    產(chǎn)品型號:SGT20T60SD1P7所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • igbt 600v 20a SGT20T60SD1S TO263參數(shù)詳解

    詳細摘要: IGBT600V20ASGT20T60SD1S可以承受電壓為600V和電流為20A,可以通過控制其柵極電壓來控制其導電狀態(tài),從而控制電流和電壓,通常用于電機控制...

    產(chǎn)品型號:SGT20T60SD1S所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • 20a 600v高速igbt SGT20T60SDM1P7手冊參數(shù)詳解

    詳細摘要: 600V高速IGBT是一種工作電壓為600V,并且具有較高開關速度的IGBT,可以在50kHz到100kHz的頻率下穩(wěn)定工作,特別適用于高頻開關應用,如太陽能逆...

    產(chǎn)品型號:SGT20T60SDM1P7所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • 600v 30a igbt SGT30T60SD1FD TO-220F封裝參數(shù)

    詳細摘要: 600V30AIGBTSGT30T60SD1FD是一種功率半導體器件,用于高壓和大電流開關應用中,它的結構類似于一個晶體管和一個可控硅的組合,具有高效率和快速開...

    產(chǎn)品型號:SGT30T60SD1FD所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶體管參數(shù)

    詳細摘要: SGTP5T60SD1D/F/S絕緣柵雙極型品體管采用士蘭微電子第三代場截止(FieldStop)工藝制作,具有較低的導通損耗和開關損耗,該產(chǎn)品可應用于UPS,...

    產(chǎn)品型號:SGTP5T60SD1D所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • 5a 600v耐壓igbt SGTP5T60SD1S絕緣柵雙極型晶體管

    詳細摘要: 5a600v耐壓igbtSGTP5T60SD1S絕緣柵雙極型晶體管采用T0-263-2L封裝,具有低導通損耗、快開關速度、高輸入阻抗等特點,典型應用于電機逆變I...

    產(chǎn)品型號:SGTP5T60SD1S所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • SGTP5T60SD1F國產(chǎn)igbt 600v 5a可兼容AOD5B65M1

    詳細摘要: 國產(chǎn)igbt600v5aSGTP5T60SD1F采用T0-220F-3L封裝,飽和壓降VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A,可兼容AOD5B65M1...

    產(chǎn)品型號:SGTP5T60SD1F所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • pfc igbt 耐壓600V 30A SGT30T60SDM1P7替代STGW30M65DF2

    詳細摘要: PFCIGBT是一種將MOSFET的高開關速度與雙極型晶體管的低通導損結合起來的半導體器件,通過降低從主電源中提取的輸入電流的諧波失真來提高交直流電源的效率,P...

    產(chǎn)品型號:SGT30T60SDM1P7所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • ups逆變器igbt SGT30T60SD3PU 600v 30a參數(shù)

    詳細摘要: UPS逆變器IGBT是一種用于無間斷電源(UPS)逆變器的IGBT器件,通常用于將直流電轉換為交流電,以提供緊急備用電源

    產(chǎn)品型號:SGT30T60SD3PU所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

  • SGT15T60SD1S 15A、600V電機逆變器igbt參數(shù)

    詳細摘要: 電機逆變器igbt可以控制電機電流的流通情況,實現(xiàn)對電機的頻率、速度和轉矩等參數(shù)的調節(jié)和控制,SGT15T60SD1S絕緣柵雙極型晶品體管,集電極電流15A,集...

    產(chǎn)品型號:SGT15T60SD1S所在地:深圳市更新時間:2026-01-14 在線留言

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