深圳市驪微電子科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 600v60aigbt絕緣柵雙極型晶體管，是指該IGBT可以在不損壞或失效的情況下處理電壓為600V和電流為60A的電路，SGT60N60FD1P7600v60...
產(chǎn)品型號(hào)：SGT60N60FD1P7所在地：深圳市更新時(shí)間：2026-01-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 600v15aigbt單管SGT15T60SD1F可兼容替換IKA15N60T，采用士蘭微電子第三代場(chǎng)截止(FieldStop)工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)...
產(chǎn)品型號(hào)：SGT15T60SD1F所在地：深圳市更新時(shí)間：2026-01-14 在線留言
詳細(xì)摘要： SGT20T60SD1F是一款帶有反并聯(lián)二極管的IGBT，其額定電壓為600V，額定電流為20A，常見(jiàn)于高壓、高功率的電力控制系統(tǒng)中，比如驅(qū)動(dòng)工業(yè)電機(jī)、電子電源...
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詳細(xì)摘要： 士蘭微600VIGBT單管是一種高壓、高電流電力控制器件，它是基于MOSFET和雙極晶體管工作原理設(shè)計(jì)而成的，具有雙極型和單極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，可用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)、變...
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詳細(xì)摘要： IGBT600V20ASGT20T60SD1S可以承受電壓為600V和電流為20A，可以通過(guò)控制其柵極電壓來(lái)控制其導(dǎo)電狀態(tài)，從而控制電流和電壓，通常用于電機(jī)控制...
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詳細(xì)摘要： 600V高速IGBT是一種工作電壓為600V，并且具有較高開(kāi)關(guān)速度的IGBT，可以在50kHz到100kHz的頻率下穩(wěn)定工作，特別適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如太陽(yáng)能逆...
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詳細(xì)摘要： 600V30AIGBTSGT30T60SD1FD是一種功率半導(dǎo)體器件，用于高壓和大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，它的結(jié)構(gòu)類似于一個(gè)晶體管和一個(gè)可控硅的組合，具有高效率和快速開(kāi)...
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詳細(xì)摘要： SGTP5T60SD1D/F/S絕緣柵雙極型品體管采用士蘭微電子第三代場(chǎng)截止(FieldStop)工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于UPS，...
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詳細(xì)摘要： 5a600v耐壓igbtSGTP5T60SD1S絕緣柵雙極型晶體管采用T0-263-2L封裝，具有低導(dǎo)通損耗、快開(kāi)關(guān)速度、高輸入阻抗等特點(diǎn)，典型應(yīng)用于電機(jī)逆變I...
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詳細(xì)摘要： 國(guó)產(chǎn)igbt600v5aSGTP5T60SD1F采用T0-220F-3L封裝，飽和壓降VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，可兼容AOD5B65M1...
產(chǎn)品型號(hào)：SGTP5T60SD1F所在地：深圳市更新時(shí)間：2026-01-14 在線留言
詳細(xì)摘要： PFCIGBT是一種將MOSFET的高開(kāi)關(guān)速度與雙極型晶體管的低通導(dǎo)損結(jié)合起來(lái)的半導(dǎo)體器件，通過(guò)降低從主電源中提取的輸入電流的諧波失真來(lái)提高交直流電源的效率，P...
產(chǎn)品型號(hào)：SGT30T60SDM1P7所在地：深圳市更新時(shí)間：2026-01-14 在線留言
詳細(xì)摘要： UPS逆變器IGBT是一種用于無(wú)間斷電源（UPS）逆變器的IGBT器件，通常用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，以提供緊急備用電源
產(chǎn)品型號(hào)：SGT30T60SD3PU所在地：深圳市更新時(shí)間：2026-01-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 電機(jī)逆變器igbt可以控制電機(jī)電流的流通情況，實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的頻率、速度和轉(zhuǎn)矩等參數(shù)的調(diào)節(jié)和控制，SGT15T60SD1S絕緣柵雙極型晶品體管，集電極電流15A，集...
產(chǎn)品型號(hào)：SGT15T60SD1S所在地：深圳市更新時(shí)間：2026-01-14 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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