scia Mill 150 專為構(gòu)造各種材料的復(fù)雜多層而設(shè)計。憑借其反應(yīng)氣體兼容性,該系統(tǒng)還能夠以增強的選擇性和速率進行反應(yīng)蝕刻工藝。由于其節(jié)省空間的設(shè)計,scia Mill 150 非常適合小規(guī)模生產(chǎn)和研發(fā)應(yīng)用。
- 蝕刻角度可通過可傾斜和可旋轉(zhuǎn)的基板支架進行調(diào)整
- 無需整形器即可實現(xiàn)好的均勻性
- 使用反應(yīng)氣體增強選擇性和速率
- 使用準(zhǔn)確的 SIMS 或光學(xué)終點檢測進行過程控制
- 載體概念可適應(yīng)各種基板尺寸
- 由于良好的晶圓冷卻,可使用光刻膠掩模處理晶圓
產(chǎn)地:德國
基片尺寸(max):直徑150 mm。
基片支架:水冷,氦氣背面冷卻接觸,基片旋轉(zhuǎn)1至20 rpm,可原位傾斜0°至165°,步長0.1°
離子束源:190 mm圓形微波ECR源(MW218-e)
中和器:三重等離子橋中和器(N-3DC)
射頻等離子橋中和器(RF-PBN)
基準(zhǔn)壓力:< 5 x 10-7 mbar
系統(tǒng)尺寸(寬x深x高):1.90 m x 1.80 m x 1.75 m(不含電氣架)
配置:單腔,可選單基片負載鎖,可選OES或SIMS終點檢測
軟件接口:SECS II / GEM,OPC
典型去除率:SiO2:30 nm/min
均勻性變化:≤3 %(σ/平均值)
磁存儲器 (MRAM) 和傳感器 (GMR、TMR) 的結(jié)構(gòu)化
MEMS 生產(chǎn)中的金屬銑削 (Au、Ru、Ta 等)
不同金屬和介電材料多層的銑削
化合物半導(dǎo)體 (GaAs、GaN、InP 等) 的化學(xué)輔助離子束蝕刻 (CAIBE)
三維光電微結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)
用于降低微觀粗糙度的離子束平滑
用于光柵 (SiO2) 圖案轉(zhuǎn)移的反應(yīng)離子束蝕刻 (RIBE)


