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聚酰亞胺薄膜的制造方法及聚酰亞胺薄膜
點(diǎn)擊次數(shù)：1665 發(fā)布時(shí)間：2010-10-22
聚酰亞胺薄膜的制造方法及聚酰亞胺薄膜
一種聚酰亞胺薄膜的制造方法，其中，包括：
在聚酰亞胺前體溶液的自支撐性薄膜的單面或兩面涂敷含有下述特征（１）及／或特征（２）的在至少一個(gè)末端具有烷氧基甲硅烷基的聚酰胺酸低聚物的溶液，將其加熱并亞胺化的工序；
·特征（１）聚酰胺酸低聚物是以Ｘ↓［Ａ］∶Ｘ↓［Ｂ］∶Ｘ↓［Ｃ］＝２∶ｎ∶（ｎ－１）且Ｘ↓［Ｄ］∶Ｘ↓［Ｅ１］＝２∶０～１∶１的摩爾比使四羧酸二酐、二胺、末端具有伯氨基的烷氧基硅烷化合物、和作為任意成分的一元胺系末端封閉劑發(fā)生反應(yīng)而得到的物質(zhì)，在這里，Ｘ↓［Ａ］是烷氧基硅烷化合物及末端封閉劑的總計(jì)摩爾數(shù)（Ｘ↓［Ｄ］＋Ｘ↓［Ｅ１］），Ｘ↓［Ｂ］是四羧酸二酐的摩爾數(shù)，Ｘ↓［Ｃ］是二胺的摩爾數(shù)，Ｘ↓［Ｄ］是烷氧基硅烷化合物的摩爾數(shù)，Ｘ↓［Ｅ１］是一元胺系末端封閉劑的摩爾數(shù)，ｎ是１～５的正數(shù)； ·特征（２） 聚酰胺酸低聚物是以Ｘ↓［Ａ］∶Ｘ↓［Ｂ］∶Ｘ↓［Ｃ］＝２∶（ｎ－１）∶ｎ且Ｘ↓［Ｄ］∶Ｘ↓［Ｅ２］＝２∶０～１∶１的摩爾比使四羧酸二酐、二胺、末端具有羧酸酐基的烷氧基硅烷化合物、和作為任意成分的羧酸酐系末端封閉劑發(fā)生反應(yīng)而得到的物質(zhì)，在這里，Ｘ↓［Ａ］是烷氧基硅烷化合物及末端封閉劑的總計(jì)摩爾數(shù)（Ｘ↓［Ｄ］＋Ｘ↓［Ｅ２］），Ｘ↓［Ｂ］是四羧酸二酐的摩爾數(shù)，Ｘ↓［Ｃ］是二胺的摩爾數(shù)，Ｘ↓［Ｄ］是烷氧基硅烷化合物的摩爾數(shù)，Ｘ↓［Ｅ２］是羧酸酐系末端封閉劑的摩爾數(shù)，ｎ是１～５的正數(shù)。