重工機械網(wǎng)
詳細介紹
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富士公司（Fuji）成立于1923年，是日本的一家老牌的半導體公司，富士自成立以來，一直致力于IGBT模塊的技術革新和挑戰(zhàn)，提供高質(zhì)量的IGBT模塊及相關半導體器件。富士IGBT模塊代理的主要產(chǎn)品為富士電機IGBT模塊，富士電機IPM模塊，富士電機PIM功率集成模塊，富士電機分立IGBT,富士智能功率模塊，富士電機研發(fā)制造高品質(zhì)電力電子功率半導體IGBT/IPM，為太陽能發(fā)電，風力發(fā)電，智能電網(wǎng)，工業(yè)自動化變頻伺服，鐵路機車，電動汽車等提供核心功率器件，為高效化和節(jié)能做貢獻。富士的IGBT等半導體產(chǎn)品是由日本國內(nèi)的6個分廠、日本國外3個分廠（深圳、菲律賓、馬來西亞）進行生產(chǎn)
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英飛凌（INFINEON)IGBT是德國英飛凌公司生產(chǎn)的一種電力半導體器件: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體丬管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密疒度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;2. 在用導電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極**大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，**好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇
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