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功率半導體的柵極電阻選型,一般有兩個優(yōu)化目標。一方面,選擇電阻值較小的柵極電阻,可以使得功率半導體的開關速度更快。這將降低開關損耗,從而降低總體損耗。另一方面,選擇較大的柵極電阻可以降低開關速度,比如dvCE/dt或diC/dt。這可使柵極電路中發(fā)生的由寄生雜散電感或耦合電容引起的振蕩減少。因此,必須通過折中的辦法實現(xiàn)門極電阻的化配置。然而,只需管理特定的工況點(如臨時過載或輕載條件)就已足夠。這些條件的開關速度比應用系統(tǒng)正常運行時更慢。
電機驅動在低負荷條件下運行是典型的輕載條件。由于來自二極管的換向電流很小所以流入IGBT的正向電流也很小,在對應的IGBT開通速度太快時,可能造成嚴重振蕩。如果正向電流能達到標稱電流[1]的25%或以上,則這些振蕩可以被大幅度地減弱。
推薦的柵極驅動概念
正常的柵極驅動電路如圖1所示。一個柵極驅動器的開通電流和關斷電流大小取決于柵極電阻的柵極電流。電流iOUT+給功率晶體管的柵極充電,而電流iOUT-給功率晶體管的柵極放電。
每個功率晶體管配合兩個柵極驅動器,再加上單獨的開通/關斷電阻,可以作為改進功率晶體管性能的簡單方法。只需使用兩顆柵極驅動芯片,即可實現(xiàn)開通電流能力或關斷電流能力的改進。而且,相比使用功能相同的分立式解決方案,使用柵極驅動芯片還可減輕設計工作負擔。只需遵循常規(guī)設計準則,即可獲得開通能耗Eon多降低25%和開通電流能力獲得改進的益處。因此,推薦的柵極驅動概念比常規(guī)解決方案的表現(xiàn)更勝。
西門康IGBT模塊 部分型號:
| SKM75GAL063D SKM100GAL063D SKM145GAL063D SKM150GAL063D SKM200GAL063D SKM300GAL063D SKM400GAL063D SKM600GAL066D SKM200GAL066D SKM300GAL066D SKM400GAL066D SKM50GAL12T4 SKM50GAL123D SKM50GAL124D SKM50GAL128D SKM75GAL12T4 SKM75GAL123D SKM75GAL124D SKM75GAL128D | SKM75GAL125D SKM75GAL12V SKM75GAL173D SKM75GAL176D SKM100GAL12T4 SKM100GAL123D SKM100GAL124D SKM100GAL128D SKM100GAL12V SKM100GAL125D SKM100GAL173D SKM100GAL176D SKM100GAL128DN SKM100GAL124DN SKM100GAL126DN SKM145GAL123D SKM145GAL124D SKM145GAL128D | SKM145GAL126D SKM145GAL125D SKM145GAL124DN SKM145GAL128DN SKM145GAL126DN SKM195GAL123D SKM195GAL124D SKM195GAL125D SKM195GAL126D SKM195GAL128D SKM195GAL124DN SKM195GAL126DN SKM195GAL128DN .SKM150GAL123D SKM150GAL124D SKM150GAL125D SKM150GAL126D SKM150GAL128D | SKM150GAL173D SKM150GAL176D SKM200GAL128D SKM200GAL126D SKM200GAL124D SKM200GAL125D SKM200GAL12T4 SKM200GAL12V SKM200GAL173D SKM200GAL174D SKM200GAL176D SKM300GAL123D SKM300GAL124D SKM300GAL126D SKM300GAL128D SKM300GAL12T4 SKM300GAL12E4 SKM300GAL173D | SKM300GAL174D SKM300GAL176D SKM400GAL176D SKM400GAL174D SKM400GAL173D SKM400GAL123D SKM400GAL124D SKM400GAL125D SKM400GAL126D SKM400GAL128D SKM400GAL12T4 SKM400GAL12E4 SKM300GAL125D SKM600GAL126D SKM600GAL176D SKM600GAL12T4 SKM800GAL126D SKM800GAL176D |



