IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高頻率，高電壓，大電流，易于開(kāi)關(guān)等性能。在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越多的應(yīng)用，在較高頻率的大、功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT是能源變換與傳輸?shù)闹饕骷?，俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

　　在室溫（25℃±2℃）環(huán)境下，將待測(cè)的IGBT柵-射極短路。集電極電源峰值功率選擇設(shè)為30W。測(cè)量方法選擇的測(cè)量方式設(shè)為重復(fù)模62式。測(cè)試將集電極電源掃描調(diào)節(jié)設(shè)為合適檔位，一般開(kāi)始可設(shè)為額定VCES的1/10左右，緩慢地增加集電極電源的掃描電壓。電壓接近器件額定VCES時(shí)，將集電極電源的掃描調(diào)節(jié)為額定VCES的1/100左右，繼續(xù)增加集電極掃描電壓，調(diào)節(jié)過(guò)程中注意觀察曲線(xiàn)，當(dāng)電流達(dá)到器件的額定ICES時(shí)，停止增加電壓，讀取此時(shí)的電壓，此電壓即為IGBT的實(shí)際集-射極耐壓，測(cè)試所得VCES電壓≥額定VCES電壓。

　　RU-150-100150為RU系列可編程直流電源，內(nèi)置函數(shù)發(fā)生器、LIST功能等，3U/15KW，單機(jī)較大可達(dá)1500V/500A，具有遠(yuǎn)端補(bǔ)償功能，補(bǔ)償線(xiàn)上壓降，具有操作簡(jiǎn)單、體積小、效率高的特性。

　　VL為可編程電子負(fù)載，內(nèi)置LIST功能，可工作在CC/CV/CR/CP等工作模式，功率范圍從1.2KW-100KW，并支持并機(jī)擴(kuò)展，具有遠(yuǎn)端量測(cè)的功能、電池測(cè)試功能、自動(dòng)測(cè)試功能等。

　　隨著工業(yè)的發(fā)展，我國(guó)成為大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，根據(jù)ICInsights新的數(shù)據(jù)，2021年半導(dǎo)體IC市場(chǎng)總銷(xiāo)售額達(dá)到了5098億美元，相比2020年增長(zhǎng)了25%，預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體總銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)11%，將會(huì)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的5651億美元。數(shù)據(jù)顯示2022年半導(dǎo)體市場(chǎng)的增速，與2021年相比將會(huì)放緩，但仍然會(huì)高于平均水平。

　　未來(lái)一段時(shí)期仍將會(huì)是大的消費(fèi)市場(chǎng)，市場(chǎng)潛力巨大。但I(xiàn)GBT芯片技術(shù)含量，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個(gè)科技創(chuàng)新制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。

　　在新能源汽車(chē)中，有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分主要的元件IGBT。從成本來(lái)說(shuō)，IGBT占整車(chē)成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，并且決定了整車(chē)的能源效率。為了獲得更高的耐壓，更大的電流和高可靠性，通常會(huì)將多個(gè)IGBT器件級(jí)聯(lián)成模塊來(lái)使用，價(jià)格也更加昂貴。

　　因此國(guó)內(nèi)的IGBT生產(chǎn)廠家將逐漸擴(kuò)大，比如比亞迪、中車(chē)等，都已成功自主研發(fā)生產(chǎn)IGBT模塊，且大批量使用。因此IGBT的研發(fā)、測(cè)試、使用等都需要嚴(yán)格把控?cái)?shù)據(jù)，以防質(zhì)量不過(guò)關(guān)造成整體產(chǎn)品的損壞進(jìn)而召回等，進(jìn)而影響公司運(yùn)營(yíng)。

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