IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，具有高頻率，高電壓，大電流，易于開關(guān)等性能。在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越多的應(yīng)用，在較高頻率的大、功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT是能源變換與傳輸?shù)闹饕骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

　　在室溫（25℃±2℃）環(huán)境下，將待測的IGBT柵-射極短路。集電極電源峰值功率選擇設(shè)為30W。測量方法選擇的測量方式設(shè)為重復(fù)模62式。測試將集電極電源掃描調(diào)節(jié)設(shè)為合適檔位，一般開始可設(shè)為額定VCES的1/10左右，緩慢地增加集電極電源的掃描電壓。電壓接近器件額定VCES時，將集電極電源的掃描調(diào)節(jié)為額定VCES的1/100左右，繼續(xù)增加集電極掃描電壓，調(diào)節(jié)過程中注意觀察曲線，當(dāng)電流達到器件的額定ICES時，停止增加電壓，讀取此時的電壓，此電壓即為IGBT的實際集-射極耐壓，測試所得VCES電壓≥額定VCES電壓。

　　RU-150-100150為RU系列可編程直流電源，內(nèi)置函數(shù)發(fā)生器、LIST功能等，3U/15KW，單機較大可達1500V/500A，具有遠端補償功能，補償線上壓降，具有操作簡單、體積小、效率高的特性。

　　VL為可編程電子負(fù)載，內(nèi)置LIST功能，可工作在CC/CV/CR/CP等工作模式，功率范圍從1.2KW-100KW，并支持并機擴展，具有遠端量測的功能、電池測試功能、自動測試功能等。

　　隨著工業(yè)的發(fā)展，我國成為大的功率半導(dǎo)體消費市場，根據(jù)ICInsights新的數(shù)據(jù)，2021年半導(dǎo)體IC市場總銷售額達到了5098億美元，相比2020年增長了25%，預(yù)計2022年半導(dǎo)體總銷售額將增長11%，將會達到創(chuàng)紀(jì)錄的5651億美元。數(shù)據(jù)顯示2022年半導(dǎo)體市場的增速，與2021年相比將會放緩，但仍然會高于平均水平。

　　未來一段時期仍將會是大的消費市場，市場潛力巨大。但IGBT芯片技術(shù)含量，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個科技創(chuàng)新制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。

　　在新能源汽車中，有提升空間的當(dāng)屬電機驅(qū)動部分，而電機驅(qū)動部分主要的元件IGBT。從成本來說，IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，并且決定了整車的能源效率。為了獲得更高的耐壓，更大的電流和高可靠性，通常會將多個IGBT器件級聯(lián)成模塊來使用，價格也更加昂貴。

　　因此國內(nèi)的IGBT生產(chǎn)廠家將逐漸擴大，比如比亞迪、中車等，都已成功自主研發(fā)生產(chǎn)IGBT模塊，且大批量使用。因此IGBT的研發(fā)、測試、使用等都需要嚴(yán)格把控數(shù)據(jù)，以防質(zhì)量不過關(guān)造成整體產(chǎn)品的損壞進而召回等，進而影響公司運營。

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