性能指標(biāo)

1. 電鏡分辨率: 2.0nm @ 30kV；5.0nm @ 3kV
2. 加速電壓: 200V～30kV
3. 束流大小: 1pA-2μA
4. 景深：可達(dá)7mm
5. 電鏡檢測(cè)器: 高真空二次電子檢測(cè)器(SE)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)可伸縮式背散射電子探測(cè)器(BSE)（用于高真空和低真空）、低真空二次電子探測(cè)器（LVSTD, up to 500 Pa）樣品室紅外CCD探測(cè)器。
6. 能譜： Oxford AZtec MaxN-80 

主要應(yīng)用

1. VEGA 3 – XMU (LaB6)型掃描電子顯微鏡兼具高、低真空兩種模式，適用于導(dǎo)電材料和非導(dǎo)電材料表面形貌的觀察，獲得表面形貌的二次電子像、背散射電子像。
2. 擁有加強(qiáng)景深顯示模式，景深可達(dá)7mm以上，專門用于觀察高低落差大的樣品，比如金屬斷口、失效分析等。

樣品要求

1. 樣品不得為具有磁性的粉末，并且不易被磁化，粉末中不得含有鐵（Fe）、鈷（Co）、鎳（Ni）。
2. 樣品中不得含有水分。 樣品高度小于80mm，直徑小于130mm。 多孔類或易潮解的樣品，請(qǐng)?zhí)崆罢婵崭稍锾幚怼?/li>
3. 樣品應(yīng)具有導(dǎo)電性。
4. 若樣品不導(dǎo)電，需要進(jìn)行鍍金、碳等導(dǎo)電膜的處理（本中心也提供鍍膜服務(wù)，但需要另行收費(fèi)）。

儀器說明

1. VEGA 3 XMU (LaB6) 采用介于肖特基與鎢燈絲性能之間的LaB6（六硼化鑭）作為電子發(fā)射源。
2. LaB6的優(yōu)勢(shì)包括：比場(chǎng)發(fā)射電子源更穩(wěn)定的電子發(fā)射源，在陰極較低溫度下可獲取比鎢燈絲電子源更高的束流，因此在各個(gè)不同加速電壓下和整個(gè)使用壽命中，LaB6都可以保持很高的亮度和分辨率。
3. 配備能譜，可做常規(guī)元素分析。