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銷售金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器價(jià)格

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱飛諾飛科技（上海）有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地上海市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2026/1/22 13:15:08
  • 訪問次數(shù)2461
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　　飛諾飛科技(上海)有限公司，注冊(cè)資本500萬元，地址位于上海市奉賢區(qū)西閘公路。
?

　　主要產(chǎn)品有：熱釋光測(cè)量系統(tǒng)、便攜式儀器儀表、實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備、環(huán)境監(jiān)測(cè)設(shè)備、放射性污染監(jiān)測(cè)、醫(yī)療及核應(yīng)急、G 材料與配件、射線防護(hù)用品、電磁輻射監(jiān)測(cè)

儀器儀表
我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。
銷售金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器價(jià)格 產(chǎn)品信息

金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

 

技術(shù)規(guī)格

 

 

型號(hào)

 

 

工作電壓

 

 

耗盡區(qū)厚度 μm

對(duì)比ORTEC

U-016-300-100 型

探測(cè)器

（Am-241 面源） 真空下測(cè)量能量分辯率 1.2?

對(duì)比ORTEC

U-016-300-100 型

探測(cè)器

（Am-241 面源） 真空下測(cè)量峰道址202

A-AS20

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

A-AS26

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

B-AS20

5~300VDC

大于 1000

4.0~4.9?

189-191

B-AS26

5~300VDC

大于 1000

4.2~4.9?

189-191


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