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FP25R12W2T4英飛凌模塊

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公司名稱深圳市明烽威電子有限公司
品牌
型號FP25R12W2T
所在地深圳市
廠商性質(zhì)代理商
更新時間2020/4/8 22:05:18
訪問次數(shù)756

產(chǎn)品標簽:

FP25R12W2T4 FP25R12 FP25R12W2 英飛凌 Infineon

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深圳市明烽威電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件分銷商，代理分銷眾多電子元器件。公司一直秉承著：“品質(zhì)為先，誠信為本”，為企業(yè)的宗旨，遵循"誠信、團結(jié)、高效、創(chuàng)新"的經(jīng)營理念；經(jīng)營品牌有NXP、TI、ST、ON、MPS、Exar、Realtek、Atmel、Infineon、SEMIKRON、MITSUBISHI、FUJI、IXYS、EUPEC、Concept、TOSHIBA、TYCO、STARPOW等。

憑借著良好的信譽和服務(wù)，公司與國內(nèi)多家企業(yè)達成穩(wěn)定信任的合作，并為企業(yè)提供全面的電子元器件配套服務(wù)。經(jīng)過不懈的努力，目前所涉及的領(lǐng)域有：家電，無線網(wǎng)絡(luò)，工業(yè)控制，醫(yī)療設(shè)備，儀器儀表，安防監(jiān)控，汽車電子，開關(guān)電源，新能源等各個領(lǐng)域。

主營產(chǎn)品有：ESD、二三極管、接口與連接性、邏輯、放大器、微控制器、電源管理、汽車電子、照明驅(qū)動、無線通信、分立器件、單片機等，為顧客提供*而穩(wěn)定的供貨。

深圳市明烽威電子有限公司真誠希望與更多企業(yè)達成互利互惠的合作，共同發(fā)展，打造另一片新天地。

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Infineon，SEMIKRON，MITSUBISHI，F(xiàn)UJI，IXYS、EUPEC，Concept，TOSHIBA，TYCO，STARPOW，

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FP25R12W2T4英飛凌模塊
英飛凌（INFINEON）IGBT是德國英飛凌公司生產(chǎn)的一種電力半導(dǎo)體器件: IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體丬管，是由BJT（雙極型三極管）和MO
FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

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FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4英飛凌模塊產(chǎn)品信息

FP25R12W2T4英飛凌模塊

英飛凌（INFINEON)IGBT是德國英飛凌公司生產(chǎn)的一種電力半導(dǎo)體器件: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體丬管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密疒度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極**大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，**好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇

英飛凌（INFINEON)IGBT是德國英飛凌公司生產(chǎn)的一種電力半導(dǎo)體器件: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體丬管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密疒度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極**大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，**好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇

FP25R12W2T4

FF900R12IE4PBOSA1
FP150R12KT4P_B11
FF450R12ME4EB11BPSA1
FF300R12KT4PHOSA1
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
FS100R12KT4PBPSA1
FF225R17ME4PBPSA1
FF300R17KE4PHOSA1
F4150R17ME4B11BPSA1
FF300R17ME4PBPSA1

FP50R12KT4PBPSA1
FF200R12KE4PHOSA1
FF225R12ME4PB11BPSA1
IXYN30N170CV1
FF300R12KT3P_E
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細信息
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集電極—發(fā)射*電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 39 A
封裝 / 箱體: EASY2B
小工作溫度: - 40 C
大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
高度: 12 mm
長度: 56.7 mm
系列: IGBT4
寬度: 62.8 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發(fā)射*電壓: +/- 20 V
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量: 15
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: FP25R12W2T4